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Nantero Inc．は、高密度不揮発性ランダムアクセスメモリチップを開発しており、このメモリは、DRAM（ダイナミックRAM）、SRAM（スタティックRAM）、フラッシュメモリ、ハードディスクストレージを置き換えるものとなります。言い換えれば、エレクトロニクス分野で数え切れないほどある既存そして新規用途のための普遍メモリチップとなるものです。ターゲット市場は、総額年間1千億ドルの歳入となります。Nanteroの商品はNRAM™（ナノチューブベース/不揮発性RAM）と呼ばれ、当社が独占権を持つ斬新なコンセプトと最先端のナノテク技術をもとに開発されています。
Nanteroは多数のプロトタイプデバイスを既に製作しており、１つのシリコンウェーハー上に100億の吊られた状態にあるナノチューブジャンクションからなるアレイもできています。NanteroのNRAM™デザインは、吊られた状態にあるナノチューブジャンクションをメモリビットとして使用いており、“上”の位置がビット０、“下”の位置がビット１となります。ビットは電界によって2つの位置間をスイッチします。ウェーハーは半導体業界の標準工程のみで製造され、既存の半導体工場との融合性を最大にしました。
NRAM™ NRAMTMはDRAMよりも確実に速く高密度になり、DRAMやフラッシュメモリよりも電力消費が相当少なく、フラッシュメモリのようにポータブルで、環境変化（高温、低温、電磁）に高い抵抗性を持つでしょう。また不揮発性のチップとして、電力なしでも、永久データストレージとなるでしょう。使用例として、ブート、リブートが即可能な“インスタント オン”コンピュータや、高密度ポータブルメモリとして、数千の曲を保存できるMP3や10ギガバイトメモリのPDA、ハイスピードネットワークのサーバ、その他多数が挙げられます。
NanteroのチーフサイエンティフィックオフィサーであるThomas Rueckes博士によって発明された専売特許のNRAM™ のデザインは、カーボンナノチューブをアクティブメモリの要素として使用します。カーボンナノチューブはフラーレン系の一種であり、銅ほどの伝導率を持ち、鋼鉄よりも強く、ダイアモンドのように硬い、驚きの特性を持っています。単層カーボンナノチューブの壁の厚さは、炭素原子たったひとつの薄さで、チューブの直径は人間の髪と比べて１０万倍小さいのです。Rueckes博士が開発したデザインは、即生産性を持つためにナノチューブを半導体技術に統合し、これらチューブの特殊な特性を独創的に利用してい�ﾜす。
著作権２０００‐２００7、Nantero, NRAM,
その他トレードマークはNantero, Inc.又は、該当する所有者の所有物です。 |
有物です。
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